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第二十二章 望尽天涯路 (美国梦幻曲系列) |
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第二十二章 望尽天涯路 (美国梦幻曲系列) -- hwarrensen - (5427 Byte) 2016-2-06 周六, 12:40 (4072 reads) |
hwarrensen [博客] [个人文集]
头衔: 海归少将 声望: 专家
加入时间: 2004/02/22 文章: 1961
海归分: 300133
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作者:hwarrensen 在 生活风情 发贴, 来自【海归网】 http://www.haiguinet.com
· 应用材料公司和东京电器公司 – 应用材料公司 (Applied Materials) 和 东京电子 (Tokyo Electron) 论产值是半导体设备公司的老大和老二。2013年9月应用材料公司曾试图以股票作价93亿美元并购东京电子,合并后的新公司被命名为Eteris。但美国司法部以他们合并后会妨碍竞争而未加以批准。参见福布斯2015年4月文章 “Applied Materials Calls Off Its Merger With Tokyo Electron Due To Regulatory Snag”(https://www.forbes.com/sites/greatspeculations/2015/04/27/applied-materials-calls-off-its-merger-with-tokyo-electron-due-to-regulatory-snag/#2715e4857a0b377a5711cd69)。
· 阿斯麦公司 – ASML Holding N.V., 总部位于荷兰的光刻机制造商。原来全球光刻机厂商有三家,ASML和日本的尼康和佳能。但被日本经济停滞拖累,尼康和佳能在光刻机市场的份额已大幅度下降。
· 半导体的硅技术 – 半导体主要材料是硅和锗,再加上复合半导体如用于光电子学中作为光源和光电探测器的三-五族化合物 (III-V Semiconductor) 如砷化镓 (GaAs) ,以及用于红外光源和探测的 二-六族化合物 (II-VI Semiconductor) 如硫化锌 (ZnS)和用来制造薄膜太阳能电池的碲化镉 (CdTe) 等。 而硅技术 (Silicon Technology) 毫无疑问是主导技术,半导体硅器件 (Devices) 大概占全部半导体器件的 90% 以上。贝尔实验室有一本关于贝尔科学工程历史的老书 “A History of Engineering and Science in the Bell System -- Physical Sciences (1925-1980)”( https://etler.com/docs/Books/History/Physical/), 其中第十一章对半导体硅、锗、和III-V族材料有详尽的描述 “Semiconductors- Silicon, Germanium, and III-V Compounds”( https://etler.com/docs/Books/History/Physical/Hist-Phys-11.pdf)。
· 高介电常数金属门电路技术 – 参见 Intel “High-k and metal Gate Transistor Research”(https://www.intel.com/pressroom/kits/advancedtech/doodle/ref_HiK-MG/high-k.htm)。
· 超高频大功率飞秒激光器泵浦探测技术 (Femtosecond Laser Pump-Probe) 和光致超声测量金属膜厚度 – 参见北大物理系潘新宇和龚旗煌综述《超快光声光谱技术的进展和前景》,“物理”31(10) 期, 2002 (https://www.wuli.ac.cn/fileup/PDF/20021006.pdf)。
· 光调制技术 – 参见L Levi, "Applied Optics, A Guide to Optical System Design" Vol 2, John Wiley & Sons, New York 1980, 第14章 “ Stress Optics: Elasto-, Electro-, and Magnetooptic Effects。“ 具体调制技术还可参考
o 电光调制 (Electro-Optic Modulation) – A Yariv, “Optical Electronics” Chpt 9 “Electrooptic Modulation of Laser Beams,” Oxford University Press, Dec 31, 1990 . A . Maldonado, “Handbook of Optics Chapter 13 Electro-Optic Modulators”( https://photonics.intec.ugent.be/education/ivpv/res_handbook/v2ch13.pdf)。中国科学院半导体研究所屠晓光等《硅基GHz高速电光调制器研究进展》,物理35(4), 317-321, 2006 (https://www.wuli.ac.cn/fileup/PDF/20060411.pdf)。中国科学院半导体研究所周亮等《亚微米尺度高速电光调制器的研究进展》,激光和红外39(3), 239-243, 2009 (https://ir.semi.ac.cn/bitstream/172111/15821/1/3735.pdf)。
o 磁光调制 -- 川大学精品课程《光学 §7.8 光调制器》(https://ccftp.scu.edu.cn:8090/Download/7e237678-b313-444b-8a71-421e6e011377.pdf)。
o 声光调制 --波恩和沃尔夫著,杨葭荪等译《光学原理》第十二章,科学出版社, 1978年 第一版,北京 (https://wlsyzx.yzu.edu.cn/kcwz/ddlx/wsfd/dzsj_gxyl.pdf)。 I . C . Chang, “Handbook of Optics Chapter 12 Acousto-Optic Devices and Applications”( https://photonics.intec.ugent.be/education/ivpv/res_handbook/v2ch12.pdf)。A Yariv, “Optical Electronics” Chpt 12 “Interaction of Light and Sound,” Oxford University Press, Dec 31, 1990.
o 热光调制 (Thermo-Optic Modulation) -- 中国科学院半导体研究所王章涛等《SOI 热光调制器》,半导体学报25(10), 1315-1318, 2004 (https://ir.semi.ac.cn/bitstream/172111/17285/1/4659.pdf)。
· 贝尔实验室在1947年制成的第一个基于锗材料的三极管是 – 参见卢森锴《晶体管发明 60 年》,大学物理 27(2), 2008 (https://sme.fudan.edu.cn/instruct/bachelor/jpkc/jcdlgy/supplement/%E6%99%B6%E4%BD%93%E7%AE%A1%E5%8F%91%E6%98%8E60%E5%B9%B4.pdf )。
· 日本电气株式会社的饭岛澄男发现多层壁纳米碳管 – 1991年,日本电气株式会社 (Nippon Electric Company, Limited, NEC)的饭岛澄男 (Sumio Iijima) 通过电子显微镜在石墨上观察到纳米碳管(Carbon Nanotube, CNT) ,结果发表在《自然》杂志上:“Helical microtubules of graphitic carbon,”Nature 354, 56 – 58, 1991 (https://www.nature.com/nature/journal/v354/n6348/abs/354056a0.html)。关于纳米碳管的综述可参考香港中文大学演讲材料 “Carbon nanotube-a new era”( https://www.ipe.cuhk.edu.hk/Intranet/kdd/presetation%20files/presentation%20080212.pdf)。
· 纳米碳管场效应三极管 – 关于IBM 的纳米碳管场效应三极管 (Carbon Nanotube Field Effect Transistor, CNTFET) 参见IBM T. J. Watson Research Center R. Martel 等的文章 “Single- and multi-wall carbon nanotube field-effect transistors,”Appl Phys Lett 73(17), 2447-2449, 1998 (https://www.ces.clemson.edu/IMMEX/utt/transistors/S-M-CNT-FET.pdf)。荷兰Delft 大学的CNTFET: 参见Delft 大学S. J. Tans 等的文章 “Room-temperature transistor based on a single carbon nanotube,”Nature 393, 49-52, 1998 (https://www.nature.com/nature/journal/v393/n6680/full/393049a0.html)。
· 最近2015年IBM 宣布在纳米三极管产业化取得重大突破 -- IBM 新闻 “IBM Research Breakthrough Paves Way for Post-Silicon Future with Carbon Nanotube Electronics,”2015年10月1日 (https://www-03.ibm.com/press/us/en/pressrelease/47767.wss)。此外在2012年,IBM 通过化学自组织 (Chemical Self-Assembly) 制成了高密度纳米碳管晶片: “IBM creates first high-density, self-assembled carbon nanotube computer chip,”ExtremeTech 2012年10月29日 (https://www.extremetech.com/computing/138995-ibm-creates-first-mass-producible-self-assembled-carbon-nanotube-computer-chip)。
· 自旋电子学 – Spintronics,参见周俊中国科学技术大学博士学位论文《基于介观和多体层面的对于半导体自旋电子学中若干问题的研究》,2008年12月 (https://wu.ustc.edu.cn/~mwu/thesis/Zhouj_PhD.pdf),以及台湾中央研究院物理所李尚凡《自旋電子學簡介》(https://www.phys.sinica.edu.tw/TIGP-NANO/Course/2007_Fall/Classnotes/Nano_Introduction%20to%20Spintronics_2007Fall.pdf)。
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